Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)

Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)



936,13 lei +TVA
Pret negociabil in functie de cantitate
Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)
Cantitate
Stoc epuizat


 

Deschidere la livrare

 

Oferim garantie la produse 24 luni

  Returnează în termen de 14 de zile

in conformitate cu OUG 34/2014

 

Suport Clienti 0371.238.579

 

Securitatea datelor colectate si procesate

 

SR EN ISO 9001:2015

Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)
SUPERMICRO
HDS-S2T1-MZ7LH960HAJR05

Fisa tehnica

Garantie
36
Inaltime
6.8 mm
Latime
69.85 mm
Adancime
100.2 mm
Tip pachet
Box
Temperatura maxima de operare a mediului ambiant
70 °C
Umiditate maxima de operare
95 %
Temperatura ambientala minima de operare
0 °C
Umiditate minima de operare
5 %
Produse returnabile aflate in garantie
Yes
Termen de garantie
36 month(s)
Criterii de validare a garantiei
Serial Number
Greutatea bruta a pachetului
0.2 kg
Greutatea neta a pachetului
0.2 kg
Bucati in pachet
1
Greutatea bruta a cutiei
0.2 kg
Retail Packaging Net Weight Carton
0.2 kg
Retail Packaging Net Weight Plastic
0.2 kg
Pachete (colete) in cutie
1
Greutate nominala
0.07 kg
Consumul maxim de putere
3.1 W
Locatia dispozitivului
Internal
Pack Weight (kg)
0.2 kg
Factor de forma
2.5"
Temp ambientala maxima pentru non operare
85 °C
Temp ambientala minima pentru non operare
-40 °C
Suporta canal de date
SATA III-600
Capacitate de stocare
960 GB
Timpul presupus intre caderi
2000000 h
Consumul minim de putere
1.3 W
Toleranta la soc in mod operare
1500G @ 0.5ms
Rata de transfer extern a datelor sustinuta
6 Gbps
Erori nereparabile
1 per 10^17
Nominal Supply Voltage
5 V
Toleranta la vibratii in operare
20G
Tehnologia pentru memorie
NAND Flash
SATA III Interface Quantity
1
Flash Memory Cell Technology
Triple-Level Cell
Maximum Random Read Rate
98000 IOPS
Maximum Random Write Rate
25000 IOPS
Maximum Sequential Read Rate
550 MB/s
Maximum Sequential Write Rate
520 MB/s
Solid State Drive Features
AES 256-bit Encryption
NCQ
TRIM Support
Total Bytes Written (TBW)
1366 TB
Drive Writes Per Day (DWPD)
1.3

Referinte specifice

Ai folosit acest produs?
Nu au fost găsite recenzii