0 0,00 lei
Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)
936,13 lei +TVA
Pret negociabil in functie de cantitate
Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)
Deschidere la livrare
Oferim garantie la produse 24 luni
Returnează în termen de 14 de zile
in conformitate cu OUG 34/2014
Suport Clienti 0371.238.579
Securitatea datelor colectate si procesate
SR EN ISO 9001:2015
Supermicro Samsung PM883,960G,SATA 6Gb/s,V4 TLC VNAND2.5"7mm (1.3 DWPD)
HDS-S2T1-MZ7LH960HAJR05
Fisa tehnica
- Garantie
- 36
- Inaltime
- 6.8 mm
- Latime
- 69.85 mm
- Adancime
- 100.2 mm
- Tip pachet
- Box
- Temperatura maxima de operare a mediului ambiant
- 70 °C
- Umiditate maxima de operare
- 95 %
- Temperatura ambientala minima de operare
- 0 °C
- Umiditate minima de operare
- 5 %
- Produse returnabile aflate in garantie
- Yes
- Termen de garantie
- 36 month(s)
- Criterii de validare a garantiei
- Serial Number
- Greutatea bruta a pachetului
- 0.2 kg
- Greutatea neta a pachetului
- 0.2 kg
- Bucati in pachet
- 1
- Greutatea bruta a cutiei
- 0.2 kg
- Retail Packaging Net Weight Carton
- 0.2 kg
- Retail Packaging Net Weight Plastic
- 0.2 kg
- Pachete (colete) in cutie
- 1
- Greutate nominala
- 0.07 kg
- Consumul maxim de putere
- 3.1 W
- Locatia dispozitivului
- Internal
- Pack Weight (kg)
- 0.2 kg
- Factor de forma
- 2.5"
- Temp ambientala maxima pentru non operare
- 85 °C
- Temp ambientala minima pentru non operare
- -40 °C
- Suporta canal de date
- SATA III-600
- Capacitate de stocare
- 960 GB
- Timpul presupus intre caderi
- 2000000 h
- Consumul minim de putere
- 1.3 W
- Toleranta la soc in mod operare
- 1500G @ 0.5ms
- Rata de transfer extern a datelor sustinuta
- 6 Gbps
- Erori nereparabile
- 1 per 10^17
- Nominal Supply Voltage
- 5 V
- Toleranta la vibratii in operare
- 20G
- Tehnologia pentru memorie
- NAND Flash
- SATA III Interface Quantity
- 1
- Flash Memory Cell Technology
- Triple-Level Cell
- Maximum Random Read Rate
- 98000 IOPS
- Maximum Random Write Rate
- 25000 IOPS
- Maximum Sequential Read Rate
- 550 MB/s
- Maximum Sequential Write Rate
- 520 MB/s
- Solid State Drive Features
- AES 256-bit Encryption
NCQ
TRIM Support - Total Bytes Written (TBW)
- 1366 TB
- Drive Writes Per Day (DWPD)
- 1.3
Referinte specifice